RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
58
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3550
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link