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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
18.1
写入速度,GB/s
1,950.7
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3550
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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