RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
58
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3404
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link