RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
58
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3404
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link