RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
58
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2638
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link