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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
58
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
42
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2476
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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