RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
50
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3818
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link