RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
50
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3818
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link