RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3818
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link