RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
58
Autour de -164% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3779
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link