RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2462
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link