RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2462
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link