RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
58
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3537
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link