RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
60
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
60
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2813
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link