RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2813
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link