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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3010
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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