RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2839
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link