RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
4044
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link