RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4044
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link