RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4044
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link