RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
46
Autour de -130% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3665
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link