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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
46
周辺 -130% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.2
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
20
読み出し速度、GB/s
2,909.8
20.2
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
15.8
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3665
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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