RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
46
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
45
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2841
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link