RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
46
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
45
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2841
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link