RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2827
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link