RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3081
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link