RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3081
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link