RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3081
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link