RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424016 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2035
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link