Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Panram International Corporation M424016 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 31

Около 19% меньшая задержка

Panram International Corporation M424016 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.6 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 31
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 12.6
Скорость записи, Гб/сек

8.6 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2035

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kllisre D4 8G 8GB

Kllisre D4 8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905598-044.A00G 16GB

Kingston 9905598-044.A00G 16GB

модули RAM