RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1762
1304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link