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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1762
1304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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