RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.9
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1762
1304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link