RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3505
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link