RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2505
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link