RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2505
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link