RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2505
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link