RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2261
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 994093 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link