RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2261
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link