RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3422
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link