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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3422
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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