RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3964
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link