RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3964
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link