RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2605
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link