RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2605
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link