RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2605
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link