RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link