RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link