RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link