RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link