RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3402
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link