RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3014
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link