RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3014
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link