RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3942
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link